私たちの生活はすでにさまざまな半導体製品で満たされています。単一元素半導体であるシリコン（Si）は電気的、化学的、機械的に優れた特性を持っているため集積回路（IC）として電化製品の中枢を担っています。一方、ガリウム砒素(GaAs)やインジウム燐(InP)、窒化ガリウム(GaN)や窒化インジウム(InN)などの化合物（混晶）半導体は赤外、可視あるいは紫外光の発光・受光素子として今日の情報通信分野の発展を支えるべく重要な役割を果たしています。混晶半導体の最も大きな特長の一つはそれを構成する原子の割合（組成）を変化させることによってある範囲において任意にその格子定数や発光・受光波長を変化させることができる点です。しかし、発光・受光素子以外となるとまだ十分に利用されているという段階ではなく、また光素子に使われている材料も限られています。さらに混晶半導体には複数の元素が均一に混ざらないなど特有の現象も存在するためそれらの問題を克服することが極めて重要です。私たちは混晶半導体の積極的な利用と応用を行うため、高品質な材料の作製方法と良質な結晶を得るための活発な研究を行っています。